工業(yè)和信息化部在《原子級制造揭榜掛帥任務(wù)榜單》將“粉體原子級包覆技術(shù)與裝備"列為重點攻關(guān)方向，明確提出“到 2026 年實現(xiàn) < 1nm 薄膜沉積、批處理能力 >10kg/批次"的目標，直指行業(yè)痛點。粉體原子層沉積（ALD）技術(shù)，憑借其原子級精度、三維均勻包覆與工藝可擴展性，成為破局關(guān)鍵。
PART.ONE 原子制造的變革：粉末原子層沉積(PALD)技術(shù)
當“原子制造"一詞被提起，仍會將其與半導(dǎo)體平面工藝緊密關(guān)聯(lián)——那些在硅片上精準堆疊的納米薄膜、為芯片性能賦能的原子級溝槽結(jié)構(gòu)，似乎定義了原子制造的邊界。然而，在材料科學的多維世界中，一場更廣闊的革命正在發(fā)生：粉體原子層沉積技術(shù)（PALD），將原子級精度從平面拓展至三維粉體，為能源、化工、醫(yī)藥乃至航空航天領(lǐng)域開辟全新可能。
在原子級制造的浪潮中，粉體表面原子層沉積技術(shù)（PALD）因其精準的納米級涂層控制能力，成為能源、化工、電子及先進材料領(lǐng)域的核心技術(shù)。然而，如何實現(xiàn)批量化、高一致性的粉體原子級包覆，一直是行業(yè)亟待突破的難題。在“雙碳"目標驅(qū)動下，新能源、制造與綠色化工領(lǐng)域?qū)Σ牧闲阅艿臉O限要求日益迫切——鋰電材料需要更穩(wěn)定的界面以延長壽命，催化劑追求更高的活性與抗燒結(jié)性，含能材料亟需致密鈍化層以保障安全……傳統(tǒng)包覆技術(shù)因均勻性差、厚度不可控等問題，已難以滿足這些需求。
左：理想的超薄致密涂層（ALD 實現(xiàn)）；
中：非致密厚涂層；右：島狀不均勻包覆
Forge Nano 憑借領(lǐng)（ling）先的粉體 ALD 技術(shù)，以創(chuàng)新技術(shù)直擊痛點，為原子制造專項任務(wù)提供標（biaogan）桿級解決方案。
? 粉體 ALD 的創(chuàng)新核心，正是突破這一局限：
三維包裹，均勻性：通過流化床、振動床等技術(shù)，使粉末顆粒在反應(yīng)器中充分分散，前驅(qū)體分子可滲透至顆粒間隙甚至多孔結(jié)構(gòu)內(nèi)部，實現(xiàn) 360° 原子級包覆，解決傳統(tǒng)包覆技術(shù)的“陰影效應(yīng)"。
自限制反應(yīng)，厚度精準可控：與平面 ALD 相同，粉體 ALD 通過自限制性半反應(yīng)逐層生長，即使面對納米級凹凸表面，也能確保每層沉積厚度精確至亞納米級（<1nm），避免液相包覆的“島狀生長"或氣相沉積的“過厚堆積"。
材料普適性，賦能全域場景：從鋰電正極材料、金屬催化劑到藥物顆粒，粉體 ALD 可兼容氧化物、氮化物、有機物等多種涂層，且工藝溫度范圍廣（常溫至 400℃），滿足熱敏感與高溫材料的雙重需求。
大批量包覆，讓工藝放大成為可能：真正困擾工業(yè)界的是如何將實驗室量級擴展到工業(yè)應(yīng)用，這需要從前端開發(fā)時就有匹配量級的設(shè)備及配方工藝。而粉體 ALD 設(shè)備有效解決了常規(guī)平面 ALD設(shè)備無法解決的放大問題。
使用 Forge Nano 粉體 ALD 技術(shù)在多種顆粒表面進行原子制造，包括進行功能性無機/有機涂層，界面改性，團簇負載等。
往期精選：一文了解粉末原子層沉積（PALD）技術(shù)及其實現(xiàn)方法
PART.TWO 從毫克到千噸：原子制造規(guī)模化
Prometheus XL 系統(tǒng)：專為粉體原子制造而生
作為 Forge Nano 旗艦產(chǎn)品，Prometheus XL 系統(tǒng)專為大規(guī)模粉末 ALD 研發(fā)與中試設(shè)計，契合《原子級制造揭榜掛帥任務(wù)榜單》中“粉體原子級包覆技術(shù)與裝備"專項的核心需求。
批量化處理能力：單次處理量達 1-20L（依粉末密度可達 10kg 以上），滿足“批處理能力>10kg/批次"的專項目標，助力客戶快速實現(xiàn)從實驗室到工業(yè)化的工藝放大。
原子級精度控制：通過自限制性半反應(yīng)機制，實現(xiàn) <1nm 的薄膜厚度控制，確保涂層均勻無針孔，顯著提升粉體性能（如催化活性、電池安全性）。
在線質(zhì)譜監(jiān)測：集成殘余氣體分析儀（RGA），實時監(jiān)控反應(yīng)進程，精準評估涂層質(zhì)量，保障批次一致性 >95%。
惰性環(huán)境兼容：支持氣動/真空惰性裝卸，確保空氣敏感材料（如金屬粉、含能材料）的安全處理，滿足“粉體表面致密鈍化"的嚴苛要求。
靈活升級擴展：可擴展至 8 種前驅(qū)體通道，支持高壓還原、正壓 ALD 等工藝升級，適應(yīng)多場景研發(fā)需求。
01.技術(shù)優(yōu)勢：定義行業(yè)標（biao）桿
大批量公斤級流化床 ALD 系統(tǒng)：大容量流化床反應(yīng)器，結(jié)合振動與高剪切射流技術(shù)，解決粉末團聚難題，實現(xiàn)超均勻包覆。
400℃ 高溫工藝：行業(yè)最高工藝溫度，覆蓋從鋰電材料到高溫催化劑的全場景需求。
自動化與智能化：HMI人機界面支持配方化操作與遠程監(jiān)控，降低人工依賴，提升工藝復(fù)現(xiàn)性。
綠色制造：內(nèi)置活性氧化鋁尾氣過濾系統(tǒng)，減少前驅(qū)體逸散，符合嚴苛環(huán)保標準。
02.賦能原子制造，引（ying）領(lǐng)行業(yè)應(yīng)用
Prometheus XL系統(tǒng)已成功應(yīng)用于多個前沿領(lǐng)域，成為原子級制造技術(shù)落地的核心裝備：
新能源材料：為鋰電正極材料包覆納米氧化鋁涂層，提升循環(huán)壽命與熱穩(wěn)定性，已用于 6K Energy 千噸級 NCM 811 產(chǎn)品線以及 Forge Battery 的美國本土電池 1GWh 項目中。
高效催化：與美國國家實驗室合作，開發(fā)Pd/Al?O? 催化劑，高溫下抗燒結(jié)性能提升300%，推動芳烴氫化工藝革新。
粉末冶金/磁性粉：通過包覆改善金屬粉體流動性，推動 3D 打印技術(shù)突破。通過絕緣層包覆，改善磁性材料絕緣性和耐高壓性能。
傳真：
地址：上海市閔行區(qū)虹橋鎮(zhèn)申濱路 88 號上海虹橋麗寶廣場 T5，705 室
版權(quán)所有 © 2018 復(fù)納科學儀器（上海）有限公司 備案號：滬ICP備12015467號-2 管理登陸 技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng) GoogleSitemap
