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背散射電子（Backscattered electron -BSE）圖像會體現有關樣品材料襯度的信息。利用背散射電子探測器（BSD）獲取樣品圖像的質量會受到很多因素的影響，如樣品的電導率，形貌，樣品成分，BSD探測器類型以及電子器件等。
在本篇博客中，將使用同一套成像系統、*相同的探測器對同一個樣品進行控制變量實驗，分析影響背散射電子圖像質量的因素，這些因素包括采樣幀數、束流強度，以及工作距離、樣品倉真空度等。
掃描電鏡的背散射電子成像
背散射電子一種電子槍中電子與樣品表面原子的原子核發生彈性散射進而被收集到的高能量反射電子。
首先，背散射電子（BSE）圖像的質量當然取決于探測器的類型及其電路設計，還取決于樣品的類型以及導電性的好壞。但是如果討論使用一臺探頭型號固定的掃描電鏡觀察特定樣品（這意味著探頭、鏡筒、樣品導電率不能改變），那么還有哪些因素會決定背散射圖像的質量呢？
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